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IQE008N03LM5CGATMA1
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IQE008N03LM5CGATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、253A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.55873 22.55873
  • 库存: 5
  • 单价: ¥22.55874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.56
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 64 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 安装类别 表面安装，可润湿侧翼
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 27A（Ta）、253A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 850欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5700 pF @ 15 V
  • 最大功耗 2.1W（Ta）、89W（Tc）
  • 供应商设备包装 PG-TTFN-9-1
  • 色彩/颜色 -

IQE008N03LM5CGATMA1 产品详情

9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IQE008N03LM5CGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IQE008N03LM5CGATMA1参考价格$2.58000。Infineon Technologies IQE008N03LM5CGATMA1包装/规格：TRENCH<=40V PG-TTFN-9。您可以下载IQE008N03LM5CGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IQE008N03LM5CGATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

0097065402N00224，带销细节，包括2.24“（57.00mm）长度，设计用于0.06”（1.6mm）宽度，总厚度如数据表注释所示，用于0.030“（0.75mm）。

0097065402N01062，带有用户指南，包括0.06“（1.6mm）宽度，它们设计用于0.030”（0.75mm）总厚度的操作。

0097061219T02750，电路图由Laird Technologies制造。是RF屏蔽的一部分，并支持EMI连接器垫片和接地垫。100x.440x.187 x10.828 w/粘合剂。

00-990011-002是Jewell Modutec制造的模拟面板仪表2S/COVER BLACK 2.5“。是面板仪表的一部分，并支持模拟面板仪表2S/COVERBLACK 2.5”。

IQE008N03LM5CGATMA1 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IQE013N04LM6ATMA1IQE013N04LM6ATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 205A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥22.45299
IQE008N03LM5CGATMA1IQE008N03LM5CGATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、253A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥22.55874
IQE065N10NM5ATMA1IQE065N10NM5ATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.62826
IQE013N04LM6CGATMA1IQE013N04LM6CGATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 205A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥22.45299
IQE030N06NM5ATMA1IQE030N06NM5ATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、137A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.04883
IQE030N06NM5CGATMA1IQE030N06NM5CGATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、137A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.04883
IQE050N08NM5ATMA1IQE050N08NM5ATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta）、101A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.33854
IQE050N08NM5CGATMA1IQE050N08NM5CGATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta）、101A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.33854
IQE065N10NM5CGATMA1IQE065N10NM5CGATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥19.62826
IQE17-05NNSKW2SIQE17-05NNSKW2S西克 (SICK)¥48.81208
IQE008N03LM5CGATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IQE008N03LM5CGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IQE008N03LM5CGATMA1价格参考￥22.558736，你可以下载 IQE008N03LM5CGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IQE008N03LM5CGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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