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IQE030N06NM5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、137A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、107W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.04882 19.04882
10+ 17.13670 171.36701
100+ 13.77165 1377.16500
500+ 11.31485 5657.42900
1000+ 10.77598 10775.98700
5000+ 10.77598 53879.93500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.04883
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、107W(Tc)
  • 安装类别 表面安装,可润湿侧翼
  • 供应商设备包装 PG-TSON-8-4
  • 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 49 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.3V@50A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Ta)、137A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3800 pF @ 30 V

IQE030N06NM5ATMA1 产品详情

IQE030N06NM5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IQE030N06NM5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IQE030N06NM5ATMA1价格参考¥19.048827,你可以下载 IQE030N06NM5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IQE030N06NM5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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