9icnet为您提供由onsemi设计和生产的STY30N50E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STY30N50E参考价格$4.80000。onsemi STY30N50E包装/规格：NFET T0264 SPCL 500V。您可以下载STY30N50E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STY145N65M5是MOSFET N-CH 650V 138A MAX247，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1信道数信道，该设备具有MAX247？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为625W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis Vds为18500pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为138A（Tc），最大值Rds Id Vgs为15 mOhm@69A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为414nC@10V，Pd功耗为625W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为82 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为138 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为414nC。
STY139N65M5是MOSFET N-CH 650V 130A MAX247，包括5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于25 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为MAX247？，该设备在MDmesh中提供？V系列，该器件具有17mOhm@65A，10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为14mOhm，Qg栅极电荷为363nC，最大功率为625W，Pd功耗为625mW，封装为管，封装外壳为TO-247-3，工作温度范围为150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔，输入电容Ciss Vds为15600pF@100V，Id连续漏极电流为130 A，栅极电荷Qg Vgs为363nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为650V，电流连续漏极Id 25°C为130 A（Tc），配置为单一。
STY130NF20D是MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II，包括单一配置，它们设计为在250 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于130 a的Id连续漏极电流，提供了安装类型特征，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为450 W，器件提供338 nC Qg栅极电荷，器件具有10 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为218 ns，系列为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为283ns，典型的导通延迟时间为232纳秒，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为200伏，Vgs栅源极电压为20伏，Vgsth栅源极阈值电压为3伏。
STY140NS10是由ST制造的MOSFET N-CH 100V 140A MAX247。STY140NS 10以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 140B MAX247、Trans MOSFET N-CH200V 140A 3引脚（3+Tab）MAX247管。
