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STY50N105DK5
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STY50N105DK5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 217.72157 217.72157
10+ 200.76594 2007.65945
100+ 179.44139 17944.13990
  • 库存: 450
  • 单价: ¥197.87603
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥217.72
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 44A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 175 nC@10 V
  • 供应商设备包装 最大247
  • 最大功耗 625W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1050伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@22A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6600 pF @ 100 V
  • 色彩/颜色 黑色

STY50N105DK5 产品详情

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET是具有950V至1050V击穿电压的非常高电压快速恢复二极管。DK5具有极低的栅极电荷,低至45nC,反向恢复时间(trr)为250ns(典型值)。这使得MDmesh DK5非常适合高功率应用中的ZVS LLC谐振转换器。这些应用包括工业焊机、等离子发生器、高频感应熔化/加热和X光机。MDmesh DK5 MOSFET系列也是硬开关拓扑的理想选择,因为其导通电阻(RDS(on))为0.12(VGS=10V,ID=23A),并且具有出色的耐用性。DK5可用于各种通孔和SMD电源封装,包括长引线TO-247和ISOTOP封装。

特色

  • 快速恢复体二极管
  • xarea上的最佳RDS
  • 低栅极电荷、输入电容和电阻
  • 100%雪崩测试
  • 极高的dv/d耐用性
STY50N105DK5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STY50N105DK5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STY50N105DK5价格参考¥197.876028,你可以下载 STY50N105DK5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STY50N105DK5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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