TK6P60W MOSFET硅N沟道MOS（DTMOS) 1.应用•开关稳压器2。特征（1）（2）（3）低漏极-源极导通电阻：RDS（on）=0.68Ω （典型）用于超级结结构：DTMOS易于控制栅极开关增强模式：Vth=2.7至3.7V（VDS=10V，ID=0.31mA）3。包装和内部电路1：门2：漏极（散热器）3：源极DPAK 4。绝对最大额定值（注）（Ta=25 除非另有规定）特性漏极源极电压栅极源极电压漏极电流（DC）漏极电流) （注2）（注1）（注释1）符号VDSS VGSS ID IDP PD EAS IAR IDR IDRP Tch Tstg评级600±30 6.2 24.8 60 84 1.6 6.2 24.8 150-55至150 W mJ A A单位V注：在重负载下连续使用（例如，施加高温/电流/电压以及温度的显著变化等）可能会导致本产品的可靠性显著降低，即使操作条件（例如，操作温度/电流/电流等）在绝对最大额定值范围内。1/9带freescale.net.cn 5。热特性特性通道至外壳热阻符号Rth（ch-c）最大2.09单位/W注1：确保通道温度不超过150. 注2:VDD=90 V，Tch=25 （初始值），L=57.6 mH，RG=25Ω, IAR=1.6 A注意：此晶体管对静电放电敏感，应小心处理。2/9带freescale.net.cn 6。电气特性6.1。静态特性（Ta=25 除非另有规定）特性栅极漏电流漏极截止电流漏极源击穿电压栅极阈值电压漏极导通电阻符号IGSS IDSS V（BR）DSS Vth RDS（on）测试条件VGS=±30 V，VDS=0 V VDS=600 V，VGS=0 V ID=10 mA，VGS=0 V VDS=10 V，ID=0.31 mA VGS=10 V，ID=3.1 A Min 600 2.7 类型。 0.68最大值±1 10 3.7 0.82 Ω V单位µA 6.2。动态特性（Ta=25 除非另有规定）特性输入电容反向转移电容输出电容有效输出电容栅极电阻切换时间（上升时间）切换时间（接通时间）切换电压（下降时间）开关时间（关断时间）MOSFET dv/dt耐用性符号Ciss Crss Coss Co（er）rg tr ton tf toff dv/dt VDD=0至400V，ID=3.1 A VDS=0至400 V，VGS=0 V VDS=打开，f=1 MHz参见图6.2.1测试条件VDS=300 V，VGS=0V，f=1MHz最小值 25典型值。390 1.7 12 20 7.5 18 40 7 55 马克斯 V/ns（伏/秒）Ω ns单位pF图6.2.1开关时间测试电路6。
特色
- 装配底座：3.7 V
- 装配底座：820 mΩ
- 装配底座：390 pF
- 装配底座：12 nC
