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TK65E10N1,S1X

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 148A(Ta) 最大功耗: 192W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.13526 20.13526
10+ 18.11449 181.14493
100+ 14.56040 1456.04020
500+ 11.96266 5981.33150
1000+ 9.91198 9911.98100
2000+ 9.32161 18643.22400
  • 库存: 628
  • 单价: ¥20.13526
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.14
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 81 nC @ 10 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 最大功耗 192W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.8毫欧姆 @ 32.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5400 pF @ 50 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 148A(Ta)
  • 色彩/颜色 -

TK65E10N1,S1X 产品详情

  • 应用范围:开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅧ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 装配基地:中国

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:4.8 mΩ
  • 装配底座:5400 pF
  • 装配底座:81 nC

应用

开关稳压器
TK65E10N1,S1X所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK65E10N1,S1X 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK65E10N1,S1X价格参考¥20.135262,你可以下载 TK65E10N1,S1X中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK65E10N1,S1X规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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