起订量: 60
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 60+ | 36.79393 | 2207.63592 |
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这种高压MOSFET采用了先进的终端方案，以提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移而降低性能。此外，这种先进的功率MOSFET被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。
这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和
换向安全操作区域是关键的，并提供额外的安全裕度，以防止意外的电压瞬变。
摩托罗拉数据表：http://u.dianyuan.com/bbs/u/59/1627101196048315.pdf
•坚固的高压终端
•指定雪崩能量
•二极管用于桥式电路
•高温下规定的Idss和Vds（开）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| MTY14N100E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥33.82434 |
| MTY30N50E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥36.79393 |
| MTY25N60E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥43.4574 |
 | MTY100N10E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.36847 |
 | MTY2-243+ | 微型电路 (Mini-Circuits) | 阻抗: 1:2 最大插入损耗: 2.2分贝 频率的范围: 10GHz~24GHz 包装/外壳: 6-TDFN Exposed Pad 安装类别: 表面安装 | ¥114.79997 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
