TMOS E-FET功率场效应晶体管
N沟道增强型硅栅
这种先进的TMOS功率FET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。这种新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。设计用于电源、转换器、PWM电机控制和其他感应负载中的高压、高速开关应用。雪崩能量能力旨在消除感应负载切换设计中的猜测，并提供额外的安全裕度，防止意外的电压瞬变。
•指定雪崩能量
•二极管用于桥式电路
•高温下规定的IDSS和VDS（开）
MTY25N60E
- 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 50
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 50+ | 43.45740 | 2172.87000 |
- 库存: 3233
- 单价: ¥43.45740
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,172.87
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 色彩/颜色 蓝色
MTY25N60E 产品详情
MTY25N60E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| MTY14N100E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥33.82434 |
| MTY30N50E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥36.79393 |
| MTY25N60E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥43.4574 |
 | MTY100N10E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.36847 |
 | MTY2-243+ | 微型电路 (Mini-Circuits) | 阻抗: 1:2 最大插入损耗: 2.2分贝 频率的范围: 10GHz~24GHz 包装/外壳: 6-TDFN Exposed Pad 安装类别: 表面安装 | ¥114.79997 |
MTY25N60E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MTY25N60E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MTY25N60E价格参考￥43.457400，你可以下载 MTY25N60E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MTY25N60E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
