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RV8C010UNHZGG2CR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1W 供应商设备包装: dfn2010-3W 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.98359 3.98359
10+ 3.39692 33.96920
100+ 2.53429 253.42910
500+ 1.99121 995.60900
1000+ 1.53860 1538.60900
2000+ 1.40287 2805.75400
8000+ 1.31234 10498.72800
16000+ 1.23419 19747.04000
  • 库存: 6660
  • 单价: ¥3.98360
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.98
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1A(Ta)
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 dfn2010-3W
  • 导通电阻 Rds(ON) 470毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
  • 最大功耗 1W
  • 色彩/颜色 White

RV8C010UNHZGG2CR 产品详情

RV8C010UNHZGG2CR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RV8C010UNHZGG2CR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RV8C010UNHZGG2CR价格参考¥3.983595,你可以下载 RV8C010UNHZGG2CR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RV8C010UNHZGG2CR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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