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RV8L002SNHZGG2CR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: dfn2010-3W 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.83873 3.83873
10+ 3.28103 32.81034
100+ 2.44954 244.95490
500+ 1.92458 962.29150
1000+ 1.48718 1487.18500
2000+ 1.35594 2711.88600
8000+ 1.26844 10147.59200
16000+ 1.19290 19086.49600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.84
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.4欧姆@250毫安,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 dfn2010-3W

RV8L002SNHZGG2CR 产品详情

RV8L002SNHZGG2CR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RV8L002SNHZGG2CR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RV8L002SNHZGG2CR价格参考¥3.838737,你可以下载 RV8L002SNHZGG2CR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RV8L002SNHZGG2CR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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