C3M0060065D
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 107.99163 | 107.99163 |
10+ | 99.24945 | 992.49459 |
100+ | 83.82208 | 8382.20820 |
500+ | 74.56565 | 37282.82800 |
1000+ | 68.39470 | 68394.70500 |
- 库存: 448
- 单价: ¥107.99164
-
数量:
- +
- 总计: ¥107.99
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 最大功耗 150W(Tc)
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 37A (Tc)
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +15伏、-4伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 79毫欧姆 @ 13.2A, 15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 5毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1020 pF@600 V
- 色彩/颜色 灰色
C3M0060065D 产品详情
Wolfspeed/Cree SiC C3M MOSFET可实现更高的开关频率,并减少电感器、电容器、滤波器和变压器组件的尺寸。SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和降低的冷却要求。MOSFET还增加了功率密度和系统开关频率。
C3M0060065D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0060065D 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0060065D价格参考¥107.991639,你可以下载 C3M0060065D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0060065D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...