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NDS8425

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 398

数量 单价 合计
398+ 5.50460 2190.83239
  • 库存: 5500
  • 单价: ¥5.50460
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,190.83
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.7伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.4A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@7.4A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1098 pF@15 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

NDS8425 产品详情

该N沟道2.5V指定MOSFET采用Fairchild半导体的先进功率沟道工艺生产,该工艺经过特别定制,以最小化导通电阻,同时保持低栅极电荷,从而获得优异的开关性能。这些设备被设计为在非常小的封装中提供卓越的功耗。

特色

  • 7.4安培,20伏
  • RDS(开)=0.022Ω@VGS=4.5 V
  • RDS(开)=0.028Ω@VGS=2.7V
  • 快速切换速度
  • 低栅极电荷(典型11nC)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
  • 负载开关
NDS8425所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NDS8425 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NDS8425价格参考¥5.504604,你可以下载 NDS8425中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NDS8425规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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