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IPB60R190P6ATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPB60R1 90P6 SP001364462零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-263-3，以及Si技术，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，Pd功耗为151 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为20.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds漏极-源极电阻为445mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为37nC，沟道模式为增强。
IPB60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS C6，该器件提供190 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有151 W的Pd功耗，部件别名为IPB60R190C6ATMA1 IPB60R1 90C6XT SP000641916，包装为卷轴式，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20.2 A，配置为单一。
IPB60R190C6ATMA1是MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB60R1 90C6 IPB60R 90C6XT SP000641916，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
