NVBGS4D1N15MC
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、185A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 316W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 132.18292 | 132.18292 |
| 10+ | 121.48516 | 1214.85162 |
| 25+ | 116.44844 | 2911.21122 |
| 100+ | 103.91823 | 10391.82320 |
| 800+ | 103.91787 | 83134.29600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥85.53865
-
数量:
- +
- 总计: ¥132.18
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 8V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 供应商设备包装 D2PAK (TO-263)
- 包装/外壳 到263-7，DPak（6条引线+标签）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）、185A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 104A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 574A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 88.9 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7285 pF @ 75 V
- 最大功耗 3.7W (Ta), 316W (Tc)
- 色彩/颜色 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NVBGS4D1N15MC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、185A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 316W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥85.53865 |
 | NVBG020N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 112A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 477W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥251.90806 |
 | NVBLS4D0N15MC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta）、187A（Tc） 最大功耗: 3.4W（Ta）、316W（Tc） 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥60.47822 |
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NVBGS4D1N15MC所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVBGS4D1N15MC 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVBGS4D1N15MC价格参考￥85.538649，你可以下载 NVBGS4D1N15MC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVBGS4D1N15MC规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
