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NVBG020N090SC1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 112A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 477W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 251.90806 251.90806
10+ 232.32326 2323.23260
100+ 215.47917 21547.91720
800+ 215.47881 172383.04800
  • 库存: 262
  • 单价: ¥251.90806
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥251.91
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.3V @ 20毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 供应商设备包装 D2PAK-7
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@60A,15V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4415 pF @ 450 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.8A (Ta), 112A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 200 nC@15 V
  • 最大功耗 3.7W (Ta), 477W (Tc)
  • 色彩/颜色 -
NVBG020N090SC1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVBG020N090SC1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVBG020N090SC1价格参考¥251.908062,你可以下载 NVBG020N090SC1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVBG020N090SC1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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