Cree介绍了其在SiC功率器件技术方面的最新突破：�第一个900-V MOSFET平台。新的900-V平台针对高频电力电子应用进行了优化，包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源，以与硅基解决方案同等的成本实现了更小、更高效的下一代电力转换系统。具有驱动器源的新型低阻抗封装具有低电容的高速开关具有低RDS（on）的高阻断电压雪崩坚固性具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管易于并联且易于驱动
碳化硅功率MOSFET TM C3M MOSFET技术特征
新型C3M SiC MOSFET技术高阻断电压低导通电阻高速开关低电容新型低阻抗封装带驱动器源快速本征二极管低反向恢复（Qrr）无卤素，符合RoHS
更高的系统效率降低了冷却要求提高了功率密度提高了系统切换频率
应用栅极（引脚1）驱动源（引脚2）电源（引脚3,4,5,6,7）
可再生能源电动汽车电池充电器高压DC/DC转换器开关模式电源零件号
漏极-源极电压门-源极电流门-源电压连续漏极电流脉冲漏极电流雪崩能量、单脉冲功耗工作结和存储温度焊料温度
绝对最大值推荐操作值VGS=25�C VGS=100�C脉宽tP受限于Tjmax=22A，VDD 150�C图20图22图19
V（BR）DSS VGS（th）IDSS IGSS RDS（on）gfs Ciss Coss Crss Eoss EON EOFF td（on）tr td（off）tf RG（int）Qgs Qgd Qg
漏极源击穿电压栅极阈值电压零栅极电压漏极电流栅极漏极电流漏极源导通状态电阻跨导输入电容输出电容反向转移电容电容储能接通开关能量关断开关能量接通延迟时间上升时间关断延迟时间下降时间内部栅极电阻栅极到源电荷门到漏极电荷总栅极电荷
VDS 400 V，VGS=20A，RG（扩展）=150�C VDD 400 V，VGS 20 A，RG（ext）2.5，相对于VDS的定时每pg 83电阻负载=1 MHz，VAC 25 mV VDS 400 V，VGA 20 A每pg 21
反向二极管特性（TC=25�C除非另有规定）二极管正向电压连续二极管正向电流二极管脉冲电流反向恢复时间反向恢复充电峰值反向恢复电流
VGS-3 V，ISD 10 A VGS-3 V，ISD 150�C VGS-3 V VGS-3V，脉宽tP受Tjmax VGS-3 V限制，ISD 400 V dif/dt=2800 A/�s
注（1）：使用SiC体二极管时，建议的最大VGS=-4V从接头到外壳的热阻从接头到环境的热阻
图5。不同温度下的导通电阻与漏极电流3 C2M0065090J版本-
图6。不同栅极电压的导通电阻与温度
