9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB100N12S305ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB100N12S305ATMA1参考价格$4.74000。Infineon Technologies IPB100N12S305ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3。您可以下载IPB100N12S305ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB100N12S305ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB100N08S2L-07是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB100N88S2L07ATMA1 IPB100M08S2L07XT SP000219053，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为56 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPB100N08S2L07ATMA1是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了XPB100N08等系列功能，零件别名设计用于IPB100N88S2L-07 IPB100M08S2L07XT SP000219053以及卷筒包装，该装置也可用作TO-263-3包装箱。此外，信道数为1信道。
IPB100N10，电路图由FEELING制造。IPB100N10提供TO-263封装，是FET的一部分-单个。
