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2N7002

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 30

数量 单价 合计
30+ 0.44181 13.25451
45+ 0.42168 18.97569
90+ 0.35084 31.57614
180+ 0.29254 52.65738
240+ 0.24386 58.52832
480+ 0.23162 111.18144
960+ 0.22003 211.23744
3000+ 0.20903 627.09000
6000+ 0.19860 1191.60000
  • 库存: 22
  • 单价: ¥0.44182
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.25
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
  • 最大功耗 350mW (Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 280毫安(Ta)
  • 色彩/颜色 -

2N7002 产品详情

该N沟道增强型MOSFET使用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻,同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这可用于要求高达400mA DC的大多数应用,并可提供高达2A的脉冲电流。该产品特别适用于低压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特色

  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
  • 电压控制小信号开关。
  • 坚固可靠。
  • 高饱和电流能力。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 小型伺服电机控制
  • 功率MOSFET栅极驱动器
2N7002所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002 由 德欧泰克半导体 (Diotec) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002价格参考¥0.441817,你可以下载 2N7002中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德欧泰克半导体 (Diotec)

德欧泰克半导体 (Diotec)

40多年来,Diotec Semiconductor为半导体芯片、封装类型、引线配置等提供定制解决方案。他们致力于通过创新和高质量的客户服务取得成功。迪奥泰克将是您的二极管和整流器应用的专家。

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