9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPBE65R190CFD7AATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPBE65R190CFD7AATMA1参考价格为5.64000美元。Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7。您可以下载IPBE65R190CFD7AATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPBE65R190CFD7AATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPA60R165CP是MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA60R165-CPXK IPA60R165 CPXKSA1 SP000096437，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为165mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为9nC，沟道模式为增强。
IPA60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CoolMOS C6，上升时间为11 ns，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为34 W，部件别名为IPA60R190C6XK IPA60R190 C6XKSA1 SP000621152，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20.2 A，下降时间为9 ns。
带有电路图的IPA60R160P6XKSA1，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管中的封装，该管提供零件别名功能，如IPA60R160 P6 SP001017082，技术设计为在Si中工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPA60R180C7XKSA1带有EDA/CAD型号，包括管包装，它们设计用于to-220-3包装箱。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供零件别名功能，如IPA60R180 C7 SP001296216。
