增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 1.3 A,20 VRDS(开启)=0.21Ω@VGS=2.7 VRDS(打开)=0.16Ω@VGS=4.5 V
- 工业标准轮廓SOT-23表面贴装封装,采用脂基SuperSOT™-3种设计,具有卓越的热和电气性能
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
- 优异的导通电阻和最大直流电流能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。