NDT2955

Name: NDT2955
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7133711-NDT2955
Price: 2.637871 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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数量	单价	合计
1+	2.63787	2.63787
10+	2.15443	21.54437
30+	1.94424	58.32744
100+	1.68151	168.15120
500+	1.40826	704.13300
1000+	1.33470	1334.70000

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数量:
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规格参数

长（英寸） -
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至261-4，至261AA
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
供应商设备包装 SOT-223-4
漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
最大功耗 3W (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 2.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 601 pF @ 30 V
色彩/颜色不锈钢

NDT2955 产品详情

该60V P沟道MOSFET采用Fairchild半导体的高压沟槽工艺生产。
它已针对电源管理应用进行了优化。

应用
•DC/DC转换器
•电源管理

该60V P沟道MOSFET采用Fairchild半导体的高压沟槽工艺生产。
它已针对电源管理应用进行了优化。

应用
•DC/DC转换器
•电源管理

特色

-2.5A，-60V
RDS（ON）=300Ω@VGS=-10V
RDS（ON）=500mΩ@VGS=-4.5V
用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力。

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
DC/DC转换器
电源管理

NDT2955 相关器件

型号	制造商	描述	价格
NDTL01N60ZT1G		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc）最大功耗: 2W（Tc）供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.23129
NDT2955	台舟 (TECH PUBLIC)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.63787
NDT3055L	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.05748
NDT452AP	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.25691
NDT16PFJ-8KIT TR	Insignis (Insignis)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13）	¥35.85236
NDTD2415C	村田电子制作所 (Elcom)	电压输出2: -15伏功率（瓦特）: 3 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 通孔	¥129.06848
NDTS0512C	村田电子制作所 (Elcom)	功率（瓦特）: 3 W 效率值: 76% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 通孔	¥122.98444
NDTS2412C	村田电子制作所 (Elcom)	功率（瓦特）: 3 W 效率值: 80% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 通孔	¥122.98444
NDT3055L-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：76mΩ@10V,4.5A	¥2.4487
NDT16NC		NANO COOL, 16 OZ LIQUID BOTTLE,	¥0.00

NDT2955所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDT2955 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDT2955价格参考￥2.637871，你可以下载 NDT2955中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDT2955规格参数、现货库存、封装信息等信息！