增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 4 A，60 V.RDS（开）=0.100Ω@VGS=10 V
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDT3055L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 5.05747 | 505.74780 |
| 1000+ | 4.86295 | 4862.95500 |
| 3000+ | 4.67592 | 14027.78700 |
| 10000+ | 4.49606 | 44960.66000 |
| 50000+ | 4.07693 | 203846.70000 |
- 库存: 5726
- 单价: ¥5.05748
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.06
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 345 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
- 供应商设备包装 SOT-223-4
- 最大功耗 3W (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@4A，10V
- 色彩/颜色 -
NDT3055L 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
NDT3055L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDTL01N60ZT1G | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | |
 | NDT2955 | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.63787 |
| NDT3055L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.05748 |
 | NDT452AP | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.25691 |
 | NDT16PFJ-8KIT TR | Insignis (Insignis) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥35.85236 |
 | NDTD2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥129.06848 |
 | NDTS0512C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 76% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥122.98444 |
 | NDTS2412C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 80% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥122.98444 |
 | NDT3055L-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：76mΩ@10V,4.5A | ¥2.4487 | |
| NDT16NC | NANO COOL, 16 OZ LIQUID BOTTLE, | ¥0.00 |
NDT3055L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDT3055L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDT3055L价格参考￥5.057478，你可以下载 NDT3055L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDT3055L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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