2N7002-7-F

Name: 2N7002-7-F
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7133804-2N7002-7-F
Price: 0.106471 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Ta）最大功耗: 370mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:2-3 工作日

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数量	单价	合计
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30+	0.97263	29.17905
100+	0.85318	85.31850
500+	0.72214	361.07300
1000+	0.65649	656.49600

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规格参数

高度（英寸） -
长（英寸） -
宽（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
供应商设备包装 SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 115毫安（Ta）
最大功耗 370mW (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 50毫安, 5V
色彩/颜色 -

2N7002-7-F 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特色

低导通电阻：2.5Ω低阈值：2.1 V低输入电容：22 pF快速开关速度：7 ns低输入和输出泄漏

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型号	制造商	描述	价格
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2N7002KQBZ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
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2N7002（丝印12W）	时科 (SHIKUES)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA	¥0.09601
2N7002-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A	¥0.1106
2N7002KD	富芯森美 (FUXINSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA	¥0.21651
2N7002T-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW	¥0.16258

2N7002-7-F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002-7-F 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002-7-F价格参考￥0.106471，你可以下载 2N7002-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！