起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.65326 | 0.65326 |
| 10+ | 0.53556 | 5.35562 |
| 30+ | 0.47670 | 14.30118 |
| 100+ | 0.43256 | 43.25680 |
| 600+ | 0.35606 | 213.63660 |
| 1200+ | 0.33840 | 406.08360 |
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ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点：•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDS-SET | 格林利 (Greenlee) | NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC | ¥322.47709 |
 | NDS-09V | APEM公司 (APEM) | NDS-09V | ¥10.42978 |
| NDS73PT9-16IT | Insignis (Insignis) | SDR 128MB X32 TSOPII 86L 10X22(X | ¥0.84022 |
 | NDS66PT5-16ET TR | Insignis (Insignis) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.58624 |
 | NDS6S2405C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
| NDS-04V | 暂无 | ¥3.98308 | |
| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业，团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司，担任技术高层岗位超过15年，核心成员均有10年以上设计经验。 台...
