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NDS355AN

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.37035 1.37035
100+ 1.27909 127.90960
1000+ 1.18783 1187.83600
  • 库存: 41
  • 单价: ¥1.37036
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.37
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A(Ta)
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 195 pF@15 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 1.9A, 10V
  • 色彩/颜色 -

NDS355AN 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 1.7 A,30 V RDS(开)=0.125Ω@VGS=4.5 V RDS(关)=0.085Ω@VGS=10 V
  • 工业标准轮廓SOT-23表面贴装封装,采用脂基SuperSOT™-3种设计,具有卓越的热和电气性能
  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
  • 优异的导通电阻和最大直流电流能力
  • 紧凑型行业标准SOT-23表面安装组件

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
NDS355AN所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NDS355AN 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NDS355AN价格参考¥1.370357,你可以下载 NDS355AN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NDS355AN规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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