9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N7002K-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002K-T1-GE3参考价格为0.31000美元。Vishay Siliconix 2N7002K-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 300MA TO236。您可以下载2N7002K-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N7002KT1G是MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23，包括2N7002K系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为24.5pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为320mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V，Pd功耗为300mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为320 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为1.6欧姆至2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55.8纳秒，典型的开启延迟时间为12.2ns，信道模式为增强。
2N7002K-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于70 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），系列为TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为2 Ohm@500mA，10V，Rds On Drain Source电阻为7.5 Ohm，功率最大值为350mW，Pd功耗为200mW，零件别名为2N7002K-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为30pF@25V，Id连续漏极电流为115 mA，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为300mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
2N7002K-T1-E3（7KXBG），带有VISHAY制造的电路图。2N7002K-T1-E3（7KXBG）采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
