9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ130N03LSGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ130N03LSGATMA1参考价格为0.76000美元。Infineon Technologies BSZ130N03LSGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON。您可以下载BSZ130N03LSGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ130N03LS G是MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了零件别名，用于BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130NO3LSGXT SP000278810，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS以及8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PG-TSDSON-8（3.3x3.3），配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，功率最大为25W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为970pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为10A（Ta），35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为13mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V，Pd功耗为2.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为2.4 ns，上升时间为2.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为35 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为13 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为2.9ns，信道模式为增强。
BSZ12DN20NS3 G是MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作50W Pd功率耗散。此外，零件别名为BSZ12DN20NS3GGATMA1 BSZ12DN2 0NS3GXT SP000781784，该设备采用卷筒包装，该设备具有PG-TDSON-8封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为11.3 a，并且正向跨导Min为12S 6S。
BSZ130N03L，带有Infineon制造的电路图。BSZ130N03L在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
BSZ130N03LSG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSZ130N03LSG在TSDSON-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
