9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDS0610-G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NDS0610-G参考价格$0.07194。onsemi NDS0610-G封装/规格：FET-60V 10.0 MOHM SOT23。您可以下载NDS0610-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDS0610是MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于NDS0610_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为360mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为79pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为10 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@10V，Pd功耗为360mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.3 ns，上升时间为6.3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-120mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为2.5ns，沟道模式为增强。
NDS0605-NL，带有FSC制造的用户指南。NDS0605-NL在sot23封装中提供，是IC芯片的一部分。
NDS0610_NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。NDS0610_NL在SOT-23封装中提供，是IC芯片的一部分，支持P沟道60V 120mA（Ta）360mW（Ta）表面安装SOT-23-3。
