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RRQ030P03TR是MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6，包括RRQ030P02系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSMT-6，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为55 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50 ns，典型接通延迟时间为7 ns，Qg栅极电荷为12 nC，正向跨导最小值为2.4 S，沟道模式为增强。
RRQ030P03 TR和ROHM制造的用户指南。RRQ030P03 TR在TSMT6封装中提供，是FET的一部分-单个。
RRQ035N03 TR，电路图由ROHM制造。RRQ035N03 TR在TSMT3封装中提供，是IC芯片的一部分。
