特色
- 导通电阻低。
- 小型表面安装封装（TSMT6）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素。
RRQ020P03TCR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥36.88085
-
数量:
- +
- 总计: ¥36.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功耗 1.25W（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 230 pF@10 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.2 nC@5V
- 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@2A，10V
RRQ020P03TCR 产品详情
中功率MOSFET RRQ020P03TCR适用于开关电源。
RRQ020P03TCR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RRQ030P03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | RRQ030P03TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | RRQ045P03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.76391 |
 | RRQ045P03TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
| RRQ020P03TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥36.88085 |
RRQ020P03TCR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RRQ020P03TCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RRQ020P03TCR价格参考￥36.880847，你可以下载 RRQ020P03TCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RRQ020P03TCR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
