9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG1012UW-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG1012UW-7参考价格为0.38000美元。Diodes Incorporated DMG1012UW-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1A SOT323。您可以下载DMG1012UW-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1012T-7是MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523，包括DMG1012系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为280mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为60.67pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为630mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为400mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@4.5V，Pd功耗为280mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.3 ns，Id连续漏极电流为630mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为500mOhms，晶体管极性为N沟道，典型的导通延迟时间为5.1ns。
DMG1012TQ-7是MOSFET MOSFET BVDSS：，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装。
DMG1012T-7-F，电路图由DIODES制造。DMG1012T-7-F采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
