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DMG1013UW-7

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 820毫安 (Ta) 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.21946 0.21946
  • 库存: 57
  • 单价: ¥0.21946
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.22
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
  • 最大功耗 310mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 820毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 750毫欧姆 @ 430毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.622 nC@4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 59.76 pF @ 16 V
  • 色彩/颜色 -

DMG1013UW-7 产品详情

特色


•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•ESD保护
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
•符合AEC-Q101高可靠性标准

DMG1013UW-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMG1013UW-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG1013UW-7价格参考¥0.219460,你可以下载 DMG1013UW-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG1013UW-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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