DMG1012TQ-7

Name: DMG1012TQ-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7134157-DMG1012TQ-7
Price: 2.752302 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦（Ta）供应商设备包装: SOT-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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10+	2.25254	22.52542
100+	1.19435	119.43540
500+	0.78571	392.85500
1000+	0.53430	534.30900
3000+	0.48194	1445.82900
6000+	0.41907	2514.44400

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
漏源电压标 (Vdss) 20伏
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
供应商设备包装 SOT-523
包装/外壳 SOT-523
最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 600毫安, 4.5V
最大功耗 280毫瓦（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 630毫安 (Ta)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.74 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60.67 pF @ 16 V
色彩/颜色 -
长（英寸） twelve

DMG1012TQ-7 产品详情

N沟道增强型MOSFET

特色

•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•设计无铅/符合RoHS（注2）
•ESD保护敢达2kV
•“绿色”设备（注3）
•符合AEC-Q101高可靠性标准

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型号	制造商	描述	价格
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DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
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DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG1012TQ-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMG1012TQ-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG1012TQ-7价格参考￥2.752302，你可以下载 DMG1012TQ-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG1012TQ-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！