DMG3406L-13

Name: DMG3406L-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7134209-DMG3406L-13
Price: 0.805838 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:2-3 工作日

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数量	单价	合计
1+	0.80583	0.80583
10+	0.66902	6.69027
30+	0.60061	18.01851
100+	0.54931	54.93160
500+	0.50278	251.39400
1000+	0.48226	482.26800

库存: 18500
单价: ¥0.80584
数量:
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
供应商设备包装 SOT-23-3
漏源电流 (Id) @ 温度 3.6A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 3.6A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.2 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 495 pF @ 15 V
最大功耗 770mW (Ta)
色彩/颜色 -

DMG3406L-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特色

低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
完全无铅且完全符合RoHS
无卤素和锑。“绿色”设备

应用

电池充电
电源管理功能
DC-DC转换器
便携式电源适配器

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型号	制造商	描述	价格
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DMG1553-2	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.14845
DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
DMG2305UX	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.58748
DMG1013T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：610mΩ@4.5V,550mA	¥0.38002
DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG3406L-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMG3406L-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG3406L-13价格参考￥0.805838，你可以下载 DMG3406L-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG3406L-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！