ZVP4525E6TA

Name: ZVP4525E6TA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7134378-ZVP4525E6TA
Price: 7.242900 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 197毫安（Ta）最大功耗: 1.1W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	6.35202	63.52023
100+	4.86795	486.79530
500+	3.84815	1924.07650
1000+	3.07852	3078.52200
3000+	2.78989	8369.67900
6000+	2.62374	15742.44600

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电压标 (Vdss) 250伏
最大功耗 1.1W（Ta）
包装/外壳 SOT-23-6
供应商设备包装 SOT-23-6
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3.5V, 10V
导通电阻 Rds(ON) 200毫安、10V时为14欧姆
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.45 nC@10 V
最大栅源极电压 (Vgs) ±40V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 73 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 197毫安（Ta）
色彩/颜色 -

ZVP4525E6TA 产品详情

这种250V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，提供了高效的功率处理能力、高阻抗，并且没有热失控和热引起的二次击穿。

特色

说明
这种250V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，提供了高效的功率处理能力、高阻抗，并且没有热失控和热引起的二次击穿。受益于该设备的应用包括各种电信和一般高压电路。


•高压
•导通电阻低
•切换速度快
•低栅极驱动
•低阈值
•互补N沟道型ZVN425E6
•SOT23-6包

应用
•接地呼叫和拨号开关
•电子挂钩开关
•高压功率MOSFET驱动器
•电信呼叫路由器
•固态继电器

ZVP4525E6TA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
ZVP1320FTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 35毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.838
ZVP4525ZTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 205毫安（Ta）最大功耗: 1.2W（Ta）供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.2429
ZVP3306A	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安（Ta）最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.64198
ZVP4424A	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 240伏漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta）最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.87472
ZVP3306FTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90毫安 (Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.41454
ZVP3310FTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 75毫安 (Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.68518
ZVP4525E6TA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 197毫安（Ta）最大功耗: 1.1W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.2429
ZVP2106GTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.25691
ZVP4424GTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 240伏漏源电流 (Id) @ 温度: 480毫安 (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.85925
ZVP2106ASTZ	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安（Ta）最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: E-Line (TO-92 compatible) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.88076

ZVP4525E6TA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZVP4525E6TA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZVP4525E6TA价格参考￥7.242900，你可以下载 ZVP4525E6TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZVP4525E6TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！