9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVP2106ATZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVP2106ASTZ参考价格为0.95000美元。Diodes Incorporated ZVP2106ATZ封装/规格：MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE。您可以下载ZVP2106ATZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZVP2106ATZ价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZVP1320FTA是MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3，包括ZVP1320系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为80 Ohm@50mA，10V，Vgs最大Id为3.5V@1mA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-35mA，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds漏极源极电阻为80欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为8 ns，沟道模式为增强。
ZVP545XDW，带有ZETEX/DIODES制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
ZVP2106AST0A，带有ZETEX制造的电路图。ZVP2106AT0A采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
