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BSZ120P03NS3E G是MOSFET P-Ch-30V-40A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括OptiMOS P3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ120P02NS3EGATMA1 BSZ120P01NS3EGXT SP000709730的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型P信道，Id连续漏极电流为-40 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为12 mOhm，晶体管极性为P信道。
BSZ120P03NS3EGATMA1是MOSFET P-Ch-30V-40A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术，该Si提供了BSZ120P02等系列功能，零件别名设计用于BSZ120P01NS3E BSZ120P21NS3EGXT G SP000709730以及卷筒包装，该装置也可用作TSDSON-8包装箱。此外，信道数为1信道。
BSZ120P03NS3G是INFINEON制造的MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8。BSZ120P03NS3G采用8-PowerTDFN封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8。
