9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ123N08NS3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ123N08NS3GATMA1参考价格为1.57000美元。Infineon Technologies BSZ123N08NS3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON。您可以下载BSZ123N08NS3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ123N08NS3 G是MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ123NO8NS3GATMA1 BSZ123NO 8NS3GXT SP000443632的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为18 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
BSZ120P03NS3GATMA1是MOSFET P-Ch-30V-40A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了BSZ120P02等系列功能，部件别名设计用于BSZ120P01NS3 BSZ120P21NS3GXT G SP000709736以及卷筒包装，该装置也可用作TSDSON-8包装箱。此外，信道数为1信道。
带有电路图的BSZ123N08N BSZ123NO8N可在QFN8封装中获得，是FET的一部分-单个。
