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NVTFS010N10MCLTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta),57.8(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),77.8W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.09564 12.09564
10+ 10.79916 107.99164
100+ 8.42204 842.20440
500+ 6.95724 3478.62000
1500+ 5.82546 8738.19600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.09564
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 10.6毫欧姆@15A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2150 pF@50 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.7A(Ta),57.8(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 85A
  • 最大功耗 3.2W(Ta),77.8W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

NVTFS010N10MCLTAG 产品详情

NVTFS010N10MCLTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVTFS010N10MCLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVTFS010N10MCLTAG价格参考¥12.095643,你可以下载 NVTFS010N10MCLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVTFS010N10MCLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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