9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ402EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ402EP-T1_GE3价格参考1.65000美元。Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8。您可以下载SQJ402EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ202EP-T1_GE3是MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerPAKR SO-8 Dual，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用PowerPAKR SO-8双非对称供应商器件包，该器件具有2 N信道配置，FET类型为2 N信道（双），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-信道，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为975pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A，60A，最大Id Vgs的Rds为6.5mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为27W 48 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6 ns 5 ns，上升时间为3.2 ns 4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为20 A 60 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V 12 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V 1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3 m欧姆4.5 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20 ns 28 ns，典型导通延迟时间为8.8ns 10.7ns，Qg栅极电荷为14.5nC 35.9nC，正向跨导最小值为49S 91S，信道模式为增强。
带用户指南的SQJ402EP-T1_GE3，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为SQ系列，该器件的上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为11mOhms，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为83W，封装为卷轴式，封装盒为SO-8L-4，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为32 A，下降时间为7 ns，配置为单一。
带电路图的SQJ401EP-T1_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷盘封装，数据表中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-12V Vds漏极-源极击穿电压。
SQJ401EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQJ401EP-T1-GE3采用SO-8L封装，是IC芯片的一部分。
