9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG7702SFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG7702SFG-7参考价格为0.68000美元。Diodes Incorporated DMG7702SFG-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333。您可以下载DMG7702SFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG7430LFG-7是MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333，包括DMG7430系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PowerDI3333-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1281pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为11mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26.7nC@10V，Pd功耗为0.9W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds漏极源极电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为12.5nC，沟道模式为增强。
DMG7702SFG-13是MOSFET 30V N-Ch ENH模式PowerDI 12A-9.5A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002540盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作DMG7702系列。此外，Rds漏极-源极电阻为10 mOhms，该器件提供890mW Pd功耗，该器件有一卷封装，封装盒为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为9.5A，并且配置为单，并且信道模式为增强。
DMG7408SFG-7是MOSFET MOSFET BVDSS:31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K，包括7 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作。数据表中显示了用于PowerDI-3333的封装情况，该PowerDI-333提供了卷盘、漏极电阻等封装功能，设计为工作在33 mOhms，以及DMG7408系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.002540盎司，器件具有30 V的Vds漏极-源极击穿电压。
