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NTR0202PLT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.45673 0.45673
10+ 0.37266 3.72662
30+ 0.33062 9.91872
300+ 0.26966 80.90040
600+ 0.24444 146.66880
900+ 0.23183 208.65420
  • 库存: 11880
  • 单价: ¥0.45674
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.46
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规格参数

  • 制造厂商 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Ta)
  • 最大功耗 225毫瓦(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 200毫安, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.18 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 5 V

NTR0202PLT1G 产品详情

这是一个20 V P沟道功率MOSFET。

特色

  • 低RDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 节省电路板空间的小型SOT-23表面安装封装
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换器
  • 计算机
  • 打印机
  • PCMCIA卡
  • 蜂窝和无绳电话


(图片:引出线)

NTR0202PLT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTR0202PLT1G 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTR0202PLT1G价格参考¥0.456737,你可以下载 NTR0202PLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTR0202PLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...

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