特色
- 2.4 mm x 2.9 mm包装中的低RDS（开启）解决方案
- 效率
- ESD二极管−保护栅极
- 符合RoHS
应用
- 高压侧负载开关
- 蓄电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行了优化
- 智能手机、媒体平板电脑、PMP、DSC、GPS和其他
NTR3A30PZT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 480mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.43217 | 5.43217 |
| 10+ | 4.77307 | 47.73071 |
| 100+ | 3.65838 | 365.83890 |
| 500+ | 2.89209 | 1446.04500 |
| 1000+ | 2.31367 | 2313.67200 |
| 3000+ | 2.30056 | 6901.68600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.49060
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.43
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大功耗 480mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 38毫欧姆 @ 3A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.6 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1651 pF@15 V
- 色彩/颜色 -
NTR3A30PZT1G 产品详情
功率MOSFET−20 V，−5.5 A，单P−通道2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT−23封装
NTR3A30PZT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTR4003NT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.64462 |
 | NTR4003NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.2832 |
 | NTR1P02T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.0877 |
 | NTR5198NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.54829 |
 | NTR4503NT1G | 广东友台半导体 (UMW) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.25593 |
 | NTR4171PT1G(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.5628 |
 | NTR4171PT1G-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,5.6A | ¥0.69599 | |
| NTR4003N | 萨科微 (Slkor) | ¥0.1072 | |
| NTRV4101P | ¥0.46862 | ||
| NTR3A30PZ | ¥0.77354 |
NTR3A30PZT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTR3A30PZT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTR3A30PZT1G价格参考￥4.490598，你可以下载 NTR3A30PZT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTR3A30PZT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
