这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。
增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层；符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列：温度范围从-55°C到+175°C
BSO201SPHXUMA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.57921 | 8.57921 |
- 库存: 15
- 单价: ¥8.57922
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.58
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 88 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 8毫欧姆 @ 14.9A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9600 pF@15 V
- 供应商设备包装 PG-DSO-8
- 色彩/颜色 -
BSO201SPHXUMA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™P P沟道功率MOSFET
BSO201SPHXUMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSOF3S3E-010.0M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: OCXO 频率: 10兆赫 输出: HCMOS 频率的稳定性: ±10ppb 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥912.6054 |
 | BSO330N02KG | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 |
 | BSO211P | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 |
 | BSO211PH | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.2453 |
 | BSO220N03MDGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.60505 |
 | BSO211PNTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 |
 | BSO612CVGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | ¥4.42107 |
 | BSO110N03MSG | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,12.1A | ¥5.32829 |
| BSO080P03S H | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.12631 | |
| BSO615N G | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.28828 |
BSO201SPHXUMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSO201SPHXUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSO201SPHXUMA1价格参考￥8.579215，你可以下载 BSO201SPHXUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSO201SPHXUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
