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NTR4502PT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.13A(Ta) 最大功耗: 400mW (Tj) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.69097 0.69097
100+ 0.64534 64.53420
1000+ 0.59826 598.26400
  • 库存: 4010
  • 单价: ¥0.69097
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.69
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.13A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.95A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@15 V
  • 最大功耗 400mW (Tj)
  • 色彩/颜色

NTR4502PT1G 产品详情

这是一个30 V P沟道功率MOSFET。

特色

  • 用于低栅极电荷/快速开关的领先平面技术
  • 低RDS(开启),用于低传导损耗
  • SOT-23表面安装,适用于小尺寸(3x3mm)
  • 符合RoHS

应用

  • 直流到直流转换
  • 便携式和计算用负载/电源开关
  • 蓄电池充电电路
  • 主板
  • 笔记本
  • 摄像机
  • 数码相机


(图片:引出线)

NTR4502PT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTR4502PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTR4502PT1G价格参考¥0.690973,你可以下载 NTR4502PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTR4502PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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