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NDT014

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.44618 6.44618
10+ 5.64946 56.49462
100+ 4.33197 433.19780
500+ 3.42429 1712.14900
1000+ 2.73941 2739.41000
2000+ 2.72391 5447.82000
4000+ 2.72391 10895.64000
  • 库存: 300
  • 单价: ¥4.99760
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.45
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@10 V
  • 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 供应商设备包装 SOT-223-4
  • 最大功耗 3W (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.6A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 155 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

NDT014 产品详情

功率SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低压应用,如直流电机控制和DC/DC转换,其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。

特色

  • 2.7 A,60 V.RDS(开)=0.2Ω@VGS=10V
  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
  • 在广泛使用的表面安装封装中具有高功率和电流处理能力。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
NDT014所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NDT014 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NDT014价格参考¥4.997601,你可以下载 NDT014中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NDT014规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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