9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB80N06S2L06ATMA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB80N06S2L06ATMA2参考价格为3.08000美元。英飞凌科技IPB80N06S2L06TMA2封装/规格：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3。您可以下载IPB80N6S2L06ATMA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB80N06S2L06ATMA2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB80N06S2L-06是MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB80N6S2L06ATMA1 IPB80M06S2L066ATMA2 SP001067880，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IPB80N6S2L-05是MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为67 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为93 ns，漏极源极电阻Rds为4.5 mOhms，Pd功耗为300 W，部件别名为IPB80N06S2L05ATMA1 IPB80N62L05XT SP000219004，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为90 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的IPB80N06S2H5ATMA2，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供了部件别名功能，如IPB80N6S2-H5 SP000376884，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
