9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB60R199CPATM1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB60R199CPATM1参考价格$4.57000。Infineon Technologies IPB60R199CPATM1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 16A TO263-3。您可以下载IPB60R199CPATM1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB60R199CP是MOSFET N-CH 650V 16A TO-263，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R1 99CPATMA1 IPB60R 99CPXT SP000223256，其提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为139 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
带用户指南的IPB60R190P6ATMA1，包括3.5 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.068654 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8 ns，器件的漏极-源极电阻为445 mOhm，Qg栅极电荷为37 nC，Pd功耗为151 W，零件别名为IPB60R190P6 SP001364462，封装为卷筒，封装盒为TO-263-3，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20.2A，下降时间为7ns，配置为1N通道，通道模式为增强型。
IPB60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263，包括单一配置，它们设计为在20.2A Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1信道数的信道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为Reel，该器件以IPB60R190C6ATMA1 IPB60R1 90C6XT SP000641916部件别名提供，该器件具有151 W的Pd功耗，漏极电阻Rds为190 mOhms，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPB60R190C6ATMA1是MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括XPB60R190系列，它们设计为与to-263-3封装外壳一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该封装提供了卷盘、晶体管极性等封装特性，设计为在N通道中工作，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
