久芯网

MVGSF1N02LT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.85274 4.85274
10+ 4.25158 42.51582
100+ 3.25930 325.93050
500+ 2.57658 1288.29450
1000+ 2.06125 2061.25700
3000+ 2.04952 6148.56900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.85274
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.85
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 最大功耗 400mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 750毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 1.2A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 125 pF@5V
  • 色彩/颜色 -

MVGSF1N02LT1G 产品详情

汽车功率MOSFET。这些微型表面贴装MOSFET低RDS(on)确保了最小的功率损耗和节约能源,使这些器件非常适合用于空间敏感的电源管理电路。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP,适用于汽车应用。

特色

  • 低rDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
  • 提供无铅包装
  • 符合AEC Q101
  • PPAP能力

应用

  • DC-DC转换
  • 电源管理


(图片:引出线)

MVGSF1N02LT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MVGSF1N02LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MVGSF1N02LT1G价格参考¥4.852743,你可以下载 MVGSF1N02LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MVGSF1N02LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部