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MVGSF1N03LT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.43217 5.43217
10+ 4.77307 47.73071
100+ 3.65838 365.83890
500+ 2.89209 1446.04500
1000+ 2.31367 2313.67200
3000+ 2.30056 6901.68600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.43218
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.43
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A(Ta)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 最大功耗 420mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@1.2A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 140 pF@5V

MVGSF1N03LT1G 产品详情

汽车功率MOSFET,30V,2.1A,100 mΩ,单N沟道,SOT-23。这些微型表面安装MOSFET低RDS(on)确保了最小的功率损耗和节约能源,使这些器件非常适合用于空间敏感的电源管理电路。

特色

  • AEC合格
  • 汽车MOSFET
  • PPAP能力
  • 汽车MOSFET
  • 小型SOT-23表面安装组件
  • 节省板空间
  • 低rDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 提供无铅包装

应用

  • 电源管理


(图片:引出线)

MVGSF1N03LT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MVGSF1N03LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MVGSF1N03LT1G价格参考¥5.432175,你可以下载 MVGSF1N03LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MVGSF1N03LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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